ЗНИЖКА 5%! на с а й т і (kit-amp). Купон "ОЛХ"!
Після підвищення якості силових МОСФЕТ транзисторів та зниження їхньої ціни, величезна частина радіоаматорів почала замислюватися про застосування даних транзисторів у вихідних каскадах підсилювачів. І якщо перші «польовики» грішили якоюсь замиленістю, то з розвитком схем і самих приладів проблема якості звуку почала поступово йти.
Також слід зазначити безперечні переваги польових транзисторів перед біполярними:
1. ПТ витримує помітно більші імпульсні навантаження, точніше перевантаження.
2. Відсутність вхідних струмів, у ряді випадків, дозволяє значно спростити каскади, що розгойдують.
3. Параметри менш залежні від температури, причому вони мають велику лінійну ділянку передавальної характеристики.
Підсилювач зібраний на 1 парі квазікомплементарних вихідних транзисторах IRFP250N (Демонтаж) з несиметричними попередніми каскадами, також модуль оснащений схемою термостабілізації та регулювання струму спокою.
При використанні 8 Ом акустики, напругу живлення можна підняти до 45-50В для отримання еквівалентної потужності за 4 Ом.
Модуль простий у налаштуванні та вимагає лише виставлення струму спокою, залежно від напруги живлення. Оптимальним струмом спокою вихідного каскаду є 60-120мА, що приблизно дорівнює 100-200мА по живленню модуля в цілому. Для регулювання струму спокою закорочується вхід, відключається навантаження, включається амперметр в розрив одного з плечей живлення і за допомогою підстроювального резистора на платі виставляється необхідне значення, після чого потрібна пауза 5-10хв. для прогрівання радіатора. Слід орієнтуватися саме на прийнятну температуру радіатора (+ запас для закритого корпусу).
Для пасивного охолодження при напрузі живлення близької до максимальної потрібний радіатор не менше 750 кв.
Суб'єктивно, підсилювач порадував якістю звучання, може бути використаний для будь-якої акустики, що підходить за потужністю, може розглядатися як альтернатива підсилювачам на мікросхемах.
Модуль можна рекомендувати для побудови високоякісного підсилювача потужності, а також знайомства з польовими транзисторами на виході.

Вимірювання
Напруга живлення двополярна -43В..0..+43В
Навантаження 4 Ом
Потужність максимальна, Вт 138
Потужність при тестуванні, Вт 80
Струм спокою 150mA
Нерівномірність АЧХ (в диапазоні 40 Гц - 15 кГц), дБ +0.02, -0.14
Рівень шуму, дБ (А) -107,1
Динамічний діапазон, дБ (А) 107,1
Гармонійні спотворення, % 0,0430
Гармонійні спотворення + шум, дБ(A) -65,2
Інтермодуляційні спотворення + шум, % 0,0400
Інтермодуляції на 10 кГц, % 0,0520

Загальні характеристики
Вага, кг 0,106
Вихідні транзистори IRFP250N
Кількість каналів mono
Клас підсилювача AB
Напруга живлення, мінімальна (двухполярна/постійна) DC 20V
Напруга живлення, максимальна (двухполярна/постійна) DC 40V
Розмір модуля ДхШхВ, мм 90x76x35

Також в наявності:
Підсилювач MOSFET, 200W - 1810 (гривень)
Підсилювач MOSFET, 500W - 2580 (гривень)