Области применения IGBT транзисторов:

• плиты индукционного нагрева от 1500 до 4000 Вт
• блоки питания
• АС/DC, DC/AC-преобразователи;
• инверторы солнечных батарей;
• преобразователи напряжений в гибридных
автомобилях;
• электропривод в стиральных машинах;

Характеристики IGBT транзистора H20R1203:
Напряжение коллектор эмиттер - до 1200В
Постоянный ток коллектора - до 40А (при 25 град), до 20А (при 100 град),
Импульсный ток коллектора - до 60А
Температура пайки выводов - до 260 град.
Обозначение выводов (надпись сверху выводов) слева направо G-C-E
Цена - 75 грн

Характеристики диодных мостов GBJ3510, KBPC3510 (квадратный):
Максимальное пиковое обратное напряжение 1000В
Максимальный ток GBJ3510 с радиатором 35А, без радиатора 4.2А
Максимальный ток KBPC3510 при 60 град - 35А
Диапазон рабочих температур -55 до + 150
Цена - 50 грн

Характеристики IGBT транзистора SGH80N60UFD (G80N60):
Ультраскоростное переключение (UFD)
Низкая рассеиваемая мощность
Напряжение коллектор эмиттер - до 600В
Максимальный ток КЭ при 25°C - 80А, при 100°C - 40А
Импульсный ток коллектора (Icm): 220А
Напряжение БЭ +- 20В, пороговое 3.5-6.5 В
Напряжение насыщения при номинальном токе 40A - 2,1 В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 195/78
Рабочая температура °C: -55…+150
Корпус: TO-3P - КОЛЛЕКТОР СОЕДИНЕН С КОРПУСОМ
Цена - 90 грн

Характеристики IGBT n-p-n транзистора FGA60N65SMD
Максимальное напряжение КЭ - 650В
Максимальный ток КЭ при 25°C - 120А , 100°C - 60А
Импульсный ток коллектора (Icm), - 180А
Напряжение насыщения при номинальном токе - 5В
Максимальная рассеиваемая мощность - 600/300 Вт
Рабочая температура -55& - +175 °C
Порядок выводов слева направо G-C-E
Корпус: TO-3PN - КОЛЛЕКТОР СОЕДИНЕН С КОРПУСОМ
Цена - 150 грн

Характеристики биполярного n-p-n транзистора D209L:
U cb max:700v
U ce max:400v
U eb max:9v
I c max :12a
P c max :130w
hFE :10-40
F max :3MHz
Цена - 40 грн


При заказе компонентов можно заказать порцию тепло проводящей пасты и предохранители по 7 грн