Ядро Allendale
Кількість ядер 2
Техпроцес, нм 65
Роз'єм LGA 775
Частота, МГц 2200
Множник 11.0x
FSB/HT/QPI 800
кеш L1, КБ 32 x 2
кеш L2, КБ 2048
кеш L3, КБ -
Напруга живлення, В 0,85~1,5
TDP, Вт 65
Кіл-ть транзисторів, млн 167
Площа кристалу, кв. мм 111
Гранична температура, °C 73,3
Набір інструкцій RISC, IA32, XD bit, MMX, EM64T, SSE, SSE2, Supplemental SSE3
Інші особливості EIST