Ядро Allendale
Количество ядер 2
Техпроцесс, нм 65
Разъем LGA 775
Частота, МГц 2600
Множитель 13.0x
FSB/HT/QPI 800
кэш L1, КБ 32 x 2
кэш L2, КБ 2048
кэш L3, КБ -
Напряжение питания, В 1,162~1,312
TDP, Вт 65
Кол-во транзисторов, млн 167
Площадь кристалла, кв. мм 111
Предельная температура, °C 73,3
Набор инструкций RISC, IA32, XD bit, MMX, EM64T, SSE, SSE2, Supplemental SSE3
Прочие особенности EIST